電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡

產品簡介：

電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡
可以測量樣品的電導率和塞貝克系數(shù)的空間分布狀況，是研究熱電材料的利器。

產品型號：德國 Panco 公司

更新時間：2024-08-19

廠商性質：生產廠家

訪問量：3903

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PRODUCT CLASSIFICATION

材料表征與鑒定

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產品介紹

品牌	其他品牌	應用領域	綜合

電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡

系統(tǒng)組成部分

1、三矢量軸定位平臺及其控制器

2、熱量克測量的測溫探針

3、接觸探測系統(tǒng)

4、模擬多路器

5、數(shù)字電壓表

6、鎖相放大器
7、攝像探頭

8、帶有控制軟件和 GPIB 總線的計算機

9、樣品架

電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡

掃描電導率－塞貝克系數(shù)顯微鏡可以測量樣品的電導率和塞貝克系數(shù)的空間分布狀況，是研究熱電材料的利器。

應用領域

1、熱電材料，超導材料，燃料電池，導電陶瓷以及半導體材料的均勻度測量

2、測量功能梯度材料的梯度

3、觀察功能梯度材料的梯度效應

4、監(jiān)測 NTC/PTC 材料的電阻漂移

5、導電固體中的傳導損耗

6、陰極材料的電導率損耗

7、GMR 材料峰值溫度的降低，電阻率的變化

8、樣品的質量監(jiān)控

主要技術參數(shù)

位置單向定位精度： 1 μm
位置雙向定位精度： 3 μm
zui大掃描區(qū)域： 150 mm × 50 mm
局部測量精度： 10 μm (與該區(qū)域的熱傳導有關)
信號測量精度： 100 nV

測量結果重復性：優(yōu)于3%
誤差
塞貝克系數(shù)： < 3% (半導體)
< 5% (金屬)
電導率： < 5% (半導體)
< 8% (金屬)
測量速度：測量一個點的時間小于4秒

技術由德國 Panco 公司和德國宇航中心公共研制開發(fā)，點擊資料下載按鈕下載說明手冊。

部分用戶名單：
Beijing University of Technology
Corning Company
Korea Research Institute of Standards and Science
Shanghai Institute of Ceramics, CAS
Germany Air Force Research Lab

Simens Company
Gwangju Institute of Science and Technology
Hamburg University
Munich University

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電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡可以測量樣品的電導率和塞貝克系數(shù)的空間分布狀況，是研究熱電材料的利器。

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